IBM 当地时间 10 月 14 日宣布，计划于 2027 年第一季度发布适用于其 7A nanostack 尖端制程的早期研发 PDK（工艺设计套件，Process Design Kit）。

业内率先采用 CFET 器件结构

IBM 的 7A nanostack 在业内率先采用了 CFET（互补场效应晶体管，Complementary FET）器件结构。这是一种不同于 FinFET（鳍式场效应晶体管）与 GAA FET（全环绕栅极晶体管）的基础设计。想在 7A nanostack 上制造芯片，必须先熟悉这一 CFET 实现的特征，并适应其特性变化。

早期研发 PDK 的定位

这份早期研发 PDK 将包含用于逻辑功能的示例标准单元库，以及一个示例 SRAM 设计。作为一个早期的设计技术协同优化（DTCO，Design-Technology Co-Optimization）平台，它并不会提供成熟商业 PDK 所包含的全部模型。

电路设计人员可以利用这份 PDK 研究布局（Placement）与布线（Routing）。IBM 在该 PDK 上的潜在合作方包括 Fabless（无晶圆厂）企业、EDA（电子设计自动化）供应商、设备供应商，以及对这项技术开发感兴趣的研究机构。

CFET 被视为后 GAA 时代进一步微缩晶体管的关键路径之一，其思路是将 n 型与 p 型器件在垂直方向堆叠，从而在不扩大平面面积的前提下提升集成密度。IBM 此次提前放出早期研发 PDK，意在让生态伙伴尽早熟悉新一代器件结构，为后续工艺落地做准备。