4F² 架构到底改了什么

在 10 月 10 日举办的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇披露了一项 DRAM（动态随机存取存储器）技术进展：采用 4F² 架构的新一代 DDR5 RDIMM 产品预计将于年底亮相。

DRAM 行业中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）与一个电容器（1C）组成，F 代表晶圆制造中光刻可实现的最小线宽或间距。4F² 指每个单元占用 4 倍最小特征尺寸的平方，而当前行业主流架构为 6F²。从 6F² 走向 4F²，单位面积内晶体管数量增加，存储密度随之提升。

长鑫此次的核心创新是 VSG（Vertical Surrounded Gate，垂直包围栅）晶体管。该结构采用垂直包围沟道的布局，增强了栅极控制能力，有助于解决传统制程微缩带来的短沟道效应与器件漏电两大难题。DRAM 依靠电容电荷存储数据，漏电过快会导致电荷流失、数据出错；行业常规方案靠频繁刷新补偿漏电，却会推高功耗、挤占带宽。垂直晶体管在缩小单元面积的同时改善了整体性能功耗表现。

为何首攻服务器内存

曹堪宇表示，长鑫围绕 4F² 架构的公开专利族已超过 300 件，数量处于行业领先。公司选择将该架构的首代产品定为 DDR5 RDIMM 服务器内存，意在切入长期由海外厂商主导的服务器内存市场——长鑫下游此前更偏重消费电子。

服务器内存需支持 7×24 小时不间断运行、带电热插拔，并完成跨平台、多硬件的大规模兼容性验证，工程难度明显高于消费级内存。近期长鑫技术进展密集：8 月底宣布最新一代低功耗内存 LPDDR6 量产；9 月宣布第五代 DRAM 技术平台（G5）实现量产，该平台接近全球最顶尖的内存量产制程。据市场研究机构 Counterpoint 数据，按全球 DRAM 厂商收入计算，长鑫科技 2026 年第二季度市场份额为 7%，排名第四。