美光 2028 推 vHBM 与 vEIM：垂直堆叠内存瞄准带宽与端侧推理

在近日举行的 2026 年度技术网络研讨会上，存储厂商美光（Micron）对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 的未来发展作出展望，并重点披露了两类新型 3DS（三维堆叠）内存：vHBM 与 vEIM。按照规划，这两款产品将与标准 HBM5 一同在 2028 年面世，分别面向高带宽计算与端侧 AI 推理场景。

vHBM：3D 集成版 HBM

vHBM 可理解为 HBM 的 3D 集成版本。其架构垂直堆叠 DRAM Die（裸片）、Base Die（基底裸片）与 XPU 逻辑主芯片，进一步缩短数据通信路径，从而提升带宽效率并降低能耗。

美光强调，vHBM 能与标准 2.5D HBM 共存。这意味着系统设计师在采用 vHBM 时，无需彻底抛弃既有的 2.5D HBM 方案，平滑过渡成为可能，降低了新架构的导入门槛。

vEIM：面向端侧 AI 推理

vEIM 在结构上与 vHBM 类似，但其设计目标明确指向端侧 AI 推理场景。美光给出的初代产品目标是实现 2TB/s 的带宽，以及低于 1pJ/bit（皮焦每比特）的能效。

在数据中心之外，大量 AI 推理正从云端下沉到手机、电脑、汽车等边缘设备。对这类设备而言，功耗与散热空间极为有限，而 <1pJ/bit 的能效指标正是为了应对端侧设备的功耗约束——在有限供电下尽可能多地完成推理计算，是 vEIM 的核心卖点。

混合键合与集成散热是关键

要实现 vHBM 与 vEIM，美光计划应用无凸块（bumpless）的混合键合（hybrid bonding）技术。相比传统凸块互连，无凸块键合能够支持更高的互连密度，从而帮助达成前述带宽与每比特能耗目标。

与此同时，美光还计划导入集成散热解决方案，以化解三维堆叠带来的热量积聚问题——在多层裸片紧密叠放的结构下，散热效率直接决定系统能否稳定维持峰值带宽。

行业意义

从 HBM 到 vHBM、vEIM，存储与逻辑芯片的边界正持续模糊。当内存以三维方式直接与算力芯片堆叠在一起，”内存墙”对 AI 算力的束缚有望被进一步打开。对云端训练与端侧推理两条路线而言，更短的数据通路、更高的带宽密度与更低的功耗，都将直接影响下一代 AI 硬件的能效上限。2028 年这两类产品的落地节奏，值得持续关注。