美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠、密度翻倍
当地时间 10 月 21 日，美光（Micron）举行 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望。在闪存类别上，美光预告了预计 2027 年下半年产能爬坡的 G11 NAND，并罕见地跳过了 G10 世代。
关键指标：400 层以上、2 倍密度
G11 NAND 采用晶圆对晶圆（wafer-to-wafer）键合技术，堆叠层数超过 400 层。按面积计算的存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍；同时可实现最高 1.5 倍的 I/O 速率，数据传输能耗则减少 25% 以上。
在 G11 之后，美光计划在 NAND 中导入突破性的高迁移率材料，以实现超密集的单元架构，进一步强化节能属性。
面向 AI 数据中心的两类设计
美光介绍了两种 AI-class 数据中心级 NAND 设计：一种是基于 SLC 的、面向 GPU 直连的 IOPS 优化产品；另一种则是类似 HBF（高带宽闪存）定义的带宽优化产品。
此外，美光还展示了其全方位的 AI 优化存储解决方案，强调在 AI 训练与推理负载下，存储子系统的带宽、延迟与能效正变得与算力同样关键。
行业背景：存储紧跟算力升级
随着大模型训练与推理对数据吞吐的要求持续抬升，NAND 闪存不再只是”容量载体”，而需要为 GPU 直连、高并发 IOPS 与高带宽场景专门优化。美光此次预告的 G11 与两类 AI-class 设计，反映出存储厂商正把”为 AI 而生”作为新一代闪存的核心卖点。2027 年下半年的产能爬坡节奏，将决定其能否在 AI 数据中心的存储竞争中抢得先机。
