在先进制程军备竞赛愈演愈烈的同时，成熟制程依然是芯片产业的利润基本盘。科技媒体 gurufocus 于 10 月 20 日发布博文称，三星晶圆代工部门将扩展其 8 纳米工艺技术，推出第二代 8LPU+ 平台。相较上一代 8LPU，新平台性能提升 12%、功耗降低 15%、芯片面积缩小 8%，并通过 ULL-SRAM 与 cHVT 器件降低待机漏电。

“无 EUV”路线，继续吃透 DUV 产线

与最先进制程普遍依赖极紫外（EUV）光刻不同，8LPU+ 明确采用”无 EUV”路线，继续利用现有的深紫外（DUV）产线。这一选择的直接好处是，三星可以避免高昂的 EUV 设备投入，在成熟制程上争取更低成本、更快量产的竞争力。对于并不追求极致晶体管密度的应用场景，用成熟且可控的工艺做迭代，往往是更经济的商业决策。

面向边缘 AI、机器人与汽车芯片

三星计划于太平洋标准时间 12 月 14 日下午 4:20 至 4:45（北京时间 12 月 15 日上午 8:20 至 8:45），在 IEDM 2026 活动上公开演讲，披露更多技术细节。据三星提交给 IEDM 2026 的技术摘要，该平台主要面向边缘人工智能、机器人和汽车芯片——这些领域对成本、功耗和可靠性高度敏感，恰恰是成熟制程最能发挥价值的阵地。

细节上的面积与集成优化

在集成度方面，8LPU+ 集成了原生 3.3V 平面 I/O 器件，可额外减少约 10% 的 I/O 面积。其汽车级 1 级（AG1）eMRAM 位单元面积约为 0.017 平方微米，相当于每平方毫米约 20Mb 的存储容量。这些数据指向同一个目标：在不追逐最尖端节点的前提下，通过架构与器件层面的微调，把成熟工艺的性价比推向更高水平。

成熟制程的价值正在被重估

近年来，全行业的注意力几乎都被 3 纳米、2 纳米等先进节点吸走，但现实需求中，大量芯片并不需要在最小尺寸上内卷。边缘 AI 设备、工业控制、车载电子等产品，更看重功耗、可靠性与可负担的量产成本。三星用第二代 8LPU+ 给出一种思路：在既有产线上做深度优化，同样能实现两位数级别的性能与能效进步。

在 EUV 产能和资本开支高度集中、先进制程供不应求的当下，谁能把成熟节点”再活一届”并做出差异化，谁就能在汽车与边缘计算这一波需求中占据更有利的位置。三星的 8LPU+，正是这种策略的具体落子。