7nm 级 FD-SOI 平台瞄准物理 AI

芯片代工企业 GlobalFoundries（格罗方德，又称格芯）于当地时间 10 月 9 日公布了全新 FD-SOI（完全耗尽型绝缘体上硅）先进制程技术平台 FDX Fusion 的计划。该平台的第一代技术预计将提供 7nm 级的数字性能。格罗方德计划 2027 年初向客户交付演示芯片，2027 年中提供初步的 PDK（工艺设计套件），并于 2028 年在德国德累斯顿晶圆厂启动量产。

这意味着格罗方德将成为又一家独立的 10nm 以下级逻辑芯片制造商，也是首家将 FD-SOI 扩展至 10nm 以下级的企业。

面向边缘与物理 AI 的差异化路线

与传统追求极致密度的 FinFET 路线不同，FD-SOI 在保持良好数字逻辑性能的同时，兼具出色的模拟与混合信号、射频表现，并支持存内计算与嵌入式非易失性存储器。格罗方德表示，FDX Fusion 主要瞄准「物理人工智能」（Physical AI）市场，即需要将感知、控制、连接与边缘智能结合的机器人、工业自动化、雷达与无线通信等场景。目前格罗方德已与博世、英飞凌、恩智浦、CEA-Leti、西门子、特斯拉等多方展开合作，围绕该平台进行早期开发与评估。

德累斯顿产能同步扩张

格罗方德同日宣布，其德累斯顿生产基地的 SPRINT 扩展项目已实现封顶。该项目投资约 11 亿欧元，预计到 2028 年底将产能提升至每年超过 100 万片 300 毫米（12 英寸）晶圆。当前德累斯顿工厂年产能约为 95 万片晶圆（视产品组合而定）。

在先进制程竞争日益聚焦 2nm、1.4nm 的背景下，格罗方德选择以 FD-SOI 这一特色工艺切入 10nm 以下市场，避开了与台积电、三星在尖端密度上的正面交锋，转而押注低功耗、高集成与高能效的边缘 AI 需求。这一路线能否在物理 AI 浪潮中占据一席之地，将成为观察成熟特色工艺命运的重要样本。