瑞萨电子于 10 月 6 日宣布推出公司首款低压氮化镓（GaN）功率半导体产品，正式将其氮化镓技术从高压领域扩展至低压场景。该产品面向人工智能数据中心、人形机器人、工厂自动化与工业电机驱动等应用，标志着这家老牌半导体厂商在宽禁带材料布局上又落下一子。

首款 100V 增强型氮化镓分立器件

本次发布的产品属于 100V 增强型（E-mode）氮化镓分立功率晶体管系列，包含 RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC 与 RTP100E1P2G1FL-DSC 四款型号。根据瑞萨披露的数据，该系列在硬开关与软开关优值（FOM，Figure of Merit）上表现突出：相比同类氮化镓器件，硬开关优值最高降低 35%，软开关优值最高降低 63%。

在效率层面，该系列相比硅基设计可提升 1% 至 3%，并彻底消除反向恢复电荷（Qrr）带来的损耗，开关损耗大幅降低 40% 至 70%。更关键的是，低压氮化镓器件保持了与硅器件兼容的封装尺寸，并提供多种标准 MOSFET 兼容封装，使客户能够在不大幅重新设计印制电路板的前提下，快速从硅 MOSFET 方案迁移到氮化镓方案。

为何值得关注：从高压走向低压

氮化镓属于宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为 3.4 电子伏特，远高于硅的约 1.12 电子伏特，临界击穿电场约为硅的 10 倍。氮化镓功率器件依托异质结界面因极化效应形成的二维电子气（2DEG）导电，无需掺杂即可实现低电阻导电，因此具备更快的开关速度、更低的栅极电荷与输出电容；同时氮化镓器件没有体二极管，反向导通依赖沟道开启，反向恢复电荷几乎为零。

衡量功率器件综合性能的常用指标是优值，常见形式为导通电阻与栅极电荷的乘积（RDS(on)×Qg）等，数值越低通常意味着在相同损耗下可支持更高开关频率，或在相同频率下损耗更低。硅 MOSFET 的该指标一般约为 1000 毫欧·纳库，而氮化镓器件仅约 50 至 100 毫欧·纳库，差距显著。

瑞萨的氮化镓布局脉络

瑞萨电子于 2024 年 6 月 20 日完成对美国氮化镓功率半导体厂商 Transphorm 的收购，由此切入氮化镓功率器件领域，并同步推出 15 款基于氮化镓的成功产品组合参考设计。2025 年 7 月，瑞萨发布基于 SuperGaN 平台的 650V 第四代增强型（Gen IV Plus）氮化镓场效应晶体管，面向人工智能数据中心、服务器电源、电动汽车充电等数千瓦级应用。

本次 100V 低压产品则是其首次将氮化镓技术扩展至低压领域。此前瑞萨的氮化镓产品多基于收购来的 Transphorm 耗尽型 SuperGaN 技术，而本次 100V 产品是其首款增强型氮化镓分立器件，技术路线更趋自主可控。

从应用前景看，低压氮化镓在人工智能数据中心的电源转换、人形机器人的伺服驱动、工厂自动化与工业电机驱动等场景中，都有助于在更紧凑的体积下实现更高效率与更高功率密度。随着人工智能算力与机器人产业持续扩张，功率器件的低压化、高效化正成为产业链上游的新战场。