全球晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries，纳斯达克代码 GFS）与无晶圆半导体 IP 公司 RAAAM Memory Technologies 于 2026 年 9 月 2 日宣布达成战略合作，共同开发并验证增益单元随机存取存储器（GCRAM）技术。双方已在格芯业界领先的 FDX FD‑SOI 平台上成功完成 GCRAM 测试芯片的流片，为先进 AI 芯片提供更省面积、更省电的片上存储器方案。
为什么要重做片上存储器
随着边缘 AI、汽车与物联网设备对数据量的需求持续攀升，片上存储器已成为芯片设计的关键瓶颈，往往占据了硅片面积的大部分。设计者一直在寻找比传统 SRAM 密度更高、功耗更低的片上存储方案。借助 RAAAM 的专利 GCRAM 技术，双方在 FDX 工艺上采用高密度设计规则共同设计存储单元，相比 SRAM 实现存储器面积缩小 40%、功耗最高降低 60%。
关键技术指标与路线
格芯与 RAAAM 已联合设计并流片一款 GCRAM 测试芯片。下一步，双方计划于 2027 年初向主要客户提供 GCRAM 设计访问权限。RAAAM 方面称，GCRAM 可作为系统级芯片（SoC）中 SRAM 的”即插即用”替代方案，并完全兼容标准 CMOS 制造流程，相比传统 SRAM 硅片面积最高可减少 50%、功耗最高可降至约三分之一。
产业方的评价
RAAAM 首席执行官兼联合创始人罗伯特·吉特曼（Robert Giterman）表示，GCRAM 测试载体在格芯 FDX 平台上成功流片，证明了双方在存储器创新与制造能力上的协同；FD‑SOI 技术的超低漏电可延长数据保持时间，为边缘 AI 设备释放可观的能耗节省。格芯 FD‑SOI 产品管理副总裁苏迪普托·博斯（Sudipto Bose）称，该方案重新定义了先进 AI 及其他应用的功耗—性能—面积（PPA）平衡。
恩智浦半导体（NXP）前端创新副总裁维克托·王（Victor Wang）表示，产业需要一次片上存储器的范式转变，GCRAM 预计带来的面积缩小与功耗降低，为提升片上存储器容量提供了清晰路径，对减少片外数据搬运、提升系统级效率至关重要。恩智浦正密切评估该方案的收益。
端侧 AI 催热片上存储
片上存储器是边缘 AI 芯片竞争力的核心环节之一，高带宽、低功耗的本地存储直接决定端侧模型的响应速度与续航。无论海外还是中国内地，面向智能终端与车规芯片的存储器创新都是值得关注的方向，格芯与 RAAAM 的这次流片也折射出端侧 AI 对存储技术的倒逼。
