（图片来源：IT之家）

在近日于上海举行的 2026 全球 AI 芯片峰会上，国内存算一体芯片企业后摩智能（HOUMO.AI）确认，其下代大模型端边 AI 芯片将采用 3D CIM 存算一体架构，并结合融合存算与 3D DRAM 技术。这意味着这家公司把「向上堆叠」作为突破端侧算力瓶颈的主路径。

同等面积，算力翻倍

后摩智能表示，这款新一代旗舰芯片将具备端侧超实时思考与互动能力。通过垂直堆叠，其可在同等面积下实现 2 倍算力，同时还有望进一步优化功耗与散热压力——对端侧设备而言，这两项指标往往比峰值算力更「卡脖子」。

端侧运行大模型，长期受两大约束：内存带宽与功耗。新一代芯片选择 3D CIM 路线，逻辑上是在面积不变的前提下，把算力与存储贴得更近，用空间换能效。

上一代 M50 已落地 150 余款产品

后摩智能上一代产品是 2025 年 7 月发布的后摩漫界 M50 芯片。其典型功耗为 10W，可提供 160TOPS（INT8）或 100TFLOPS（bFP16）算力，支持 48GB 内存容量、153.6GB/s 内存带宽。更受关注的是落地进展：M50 目前已获得超过 150 款产品定点，覆盖丰富应用场景，说明端边 AI 芯片已从实验室参数走向实际产品接入。

六年路线与产业化目标

后摩智能联合创始人、产品副总裁信晓旭在峰会上分享，应对 AI 芯片提升算力与访存的两大挑战，后摩智能作为存算一体先行者，过去六年沿基于 SRAM 的存算一体路线迭代，把该架构从学术界带入产业界。M50 量产半年，产品定点已达 150 余款，形成商业闭环。

针对行业主流 3D 堆叠技术算力受限、散热不佳等难题，后摩智能自研 3D CIM 架构，实现同等面积下算力翻倍，并显著优化功耗与散热压力。信晓旭表示，后摩智能将围绕端侧 AI 对算力、能效和存储带宽提出的新需求持续演进，并加速推进 3D CIM 架构的芯片产业化探索。

从 M50 的 150 多款定点，到下代芯片切换 3D CIM 架构，后摩智能在端边 AI 这条线上走得比许多人预期中更实——其赌注，是端侧设备对「实时响应」而非「跑分峰值」的真实需求。