据发布会现场信息，这款芯片拥有 16 倍于传统手机内存的带宽，实现高达 330 词元每秒的端侧推理速度。词元即大模型每秒生成的基本文本单元，这一指标意味着手机本地运行的 AI 助手，首次可以做到接近”打字速度”级别的实时对话响应。

突破”内存墙”：1.22 TB/s 带宽

玄戒 O100 的核心突破在于”内存墙”的解决思路。普通旗舰手机的内存带宽约为 77 GB/s，而 O100 达到 1.22 TB/s，是前者的 16 倍。其采用近存 AI 计算架构，将 AI 计算单元与存储单元的物理距离压缩到 1.4 微米，通过 258 万个混合键合节点实现”面对面”直连，从而让数据在存储与计算之间高速往返。

绕开 EUV 的两条路线

在量产路线上，O100 走的是”多芯片三维集成”路线：在先进制程受限的背景下，小米选择用先进封装把两片完整晶圆叠成一颗芯片，而非继续缩小晶体管。这一路径与华为同日发布的麒麟 9050 Pro（采用单芯片内三维化”逻辑折叠”方案）形成对照，被外界视为中国半导体产业绕开先进制程封锁的两条不同工程路线。

三芯齐发，2027 年商用

雷军当晚一并发布了三颗自研芯片。除 O100 外，玄戒 O3 为旗舰手机 SoC，采用台积电 3 纳米制程、十核全大核 CPU、行业首发支持长鑫 LPDDR6 内存，将随小米 18 Fold 折叠旗舰首发；玄戒 D100 则是国内首款 3 纳米智驾芯片，最高支持 160 GB 统一内存，可本地部署 2000 亿参数大模型。三颗芯片还可通过 AICube 原型机实现协同计算，在端侧同时运行 1200 亿与 30 亿参数双模型，并支持快慢系统切换。

小米方面称，玄戒 O100 计划于 2027 年正式商用。作为对比，台积电的 CoWoS 先进封装已在数据中心大规模量产并驱动英伟达 H100、H200 等加速器，而 O100 在键合间距（1.4 微米）这一关键参数上已达到全球领先水平，但在商业化进度上仍需追赶。