韩国半导体分析机构 Kernel Insight 的最新数据显示，采用 1b 工艺节点的 DRAM 晶圆，每平方毫米成本达到 0.654 美元（约 4.4 元人民币），较台积电 N2（2 纳米）晶圆的 0.424 美元高出 54%。

这是一个与工艺复杂度相悖的格局。N2 属于 2 纳米级先进制程，需要多重曝光与极紫外光刻（EUV）等复杂工艺；而 1b DRAM 虽为亚 10 纳米级，但结构相对单一，良率控制难度较低。按常理，工艺更简单的产品单位面积成本应更低。

数字背后的供需逻辑

1b DRAM 位密度约为每平方毫米 0.436 Gb，主要用于 DDR5 台式机、笔记本、服务器内存，以及 HBM3E 配套颗粒。以每 Gb 1.50 美元的参考价估算，其单位面积成本约为 0.654 美元。

作为对照，300 毫米 TSMC N3（3 纳米）晶圆价格约为 2 万美元，N2 晶圆约为 3 万美元，折算每平方毫米分别为 0.283 美元与 0.424 美元。9 月 21 日，DRAM Exchange 披露 16Gb DDR5 eTT 价格为 24.80 美元，折合约每 Gb 1.55 美元。即便多代之前的 1z DRAM（位密度约 0.273 Gb/平方毫米，参考成本约 0.410 美元/平方毫米），也几乎与台积电最先进节点在每平方毫米基础上持平。

短缺周期何时结束

通用 DRAM 长期供应短缺，是价格倒挂的核心驱动：AI 服务器建设潮持续消耗高带宽内存与大容量 DDR5 模组，而三星、SK 海力士、美光三大存储厂商的产能扩张节奏滞后于需求增速。

业内对短缺周期的判断并不一致。SK 海力士 CEO 公开表示，AI 产业无法脱离存储器而存在，公司正加速全球生产基地的下一代内存布局；宏碁董事长陈巍则预测，内存短缺不会延续至 2030 年，但在价格于 2027 年中期缓解之前，仍将持续攀升。

此外，三星已调整其下一代 DRAM 开发策略：代号为 B1b 的首个亚 10 纳米级工艺，计划将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造，再通过晶圆级混合键合堆叠在一起。由于混合键合成本高昂，外界预计其下一代 DRAM 将被定在相当高的溢价区间。