资本开支接近翻倍

美光将 2026 财年资本支出计划从年初的约 180 亿美元上调至约 200 亿美元，主要用于 HBM 与新一代 1-gamma DRAM 制程。首席财务官马克·墨菲（Mark Murphy）后续指引显示，全年开支可能进一步升至 250 亿至 270 亿美元区间。与 2025 财年 138 亿美元的净资本支出相比，2026 财年增幅接近翻倍。

HBM 产能售罄，短缺或延续至 2026 之后

董事长兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）称，公司已就 2026 日历年全年的 HBM 供应量与价格同客户达成一致，产能”全部售罄”。他警告，在可预见的未来，行业总供应量将远低于需求，紧张状况将持续到 2026 日历年并延续至此后；中期来看，美光仅能满足部分关键客户 50% 至三分之二的需求。

梅赫罗特拉表示，HBM 整体市场规模将以约 40% 的年复合增长率，从 2025 年的约 350 亿美元增至 2028 年的约 1000 亿美元，这一里程碑比此前预期提前两年到来。他预计，内存正从系统组件转变为决定人工智能性能的战略资产。

全球扩产应对缺口

为弥补供需缺口，美光正加速全球制造布局：爱达荷州首座新晶圆厂预计 2027 年中期产出首片晶圆，纽约州新厂计划 2026 年初动工，并在日本、新加坡与印度推进技术升级、产能建设及封测设施扩建。公司同时与客户协商更具约束力的多年期供货合同，以锁定未来增长。